SPN04N60S5

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SPN04N60S5		72.08

Версия для печати

Технические характеристики SPN04N60S5

Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 200µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	800mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Корпус	PG-SOT223-4
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	1.8W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 2.8A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPN04N60S5 (Мощные полевые МОП транзисторы)

Cool Mos Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPN04N60S5 datasheet
240.59Kb
10стр.