Версия для печати
Технические характеристики IRF7316

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 4.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	710pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7316 30V Dual P-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF7316 datasheet 103.91Kb 7стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATAVRISP2		Внутрисхемный программатор для 8- битных AVR-микроконтроллеров ф. Atmel (работа от ...	ATMEL
		ATAVRISP2		Внутрисхемный программатор для 8- битных AVR-микроконтроллеров ф. Atmel (работа от ...			8 428.00
		ATAVRISP2		Внутрисхемный программатор для 8- битных AVR-микроконтроллеров ф. Atmel (работа от ...	США
		ATAVRISP2		Внутрисхемный программатор для 8- битных AVR-микроконтроллеров ф. Atmel (работа от ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LQH43CN100K03L		Дроссель SMD 1812 (L=10 uH +/-10%, I=650mA, R=0.24 Ohm (max), SRF=23MHz(min), ...	MURATA
		LQH43CN100K03L		Дроссель SMD 1812 (L=10 uH +/-10%, I=650mA, R=0.24 Ohm (max), SRF=23MHz(min), ...	CHINA
		LQH43CN100K03L		Дроссель SMD 1812 (L=10 uH +/-10%, I=650mA, R=0.24 Ohm (max), SRF=23MHz(min), ...	MUR
		LQH43CN100K03L		Дроссель SMD 1812 (L=10 uH +/-10%, I=650mA, R=0.24 Ohm (max), SRF=23MHz(min), ...			45.20
		LQH43CN100K03L		Дроссель SMD 1812 (L=10 uH +/-10%, I=650mA, R=0.24 Ohm (max), SRF=23MHz(min), ...	ЯПОНИЯ
		LQH43CN100K03L		Дроссель SMD 1812 (L=10 uH +/-10%, I=650mA, R=0.24 Ohm (max), SRF=23MHz(min), ...	MURATA
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	ANALOG DEVICES
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C			580.00
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	Analog Devices Inc
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	США
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	ANALOG DEVICES
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	AD1
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	ANALOG
		SH016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	YAGEO
		SH016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В
		TL062CDR		2xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS INSTRUMENTS
		TL062CDR		2xOP JFET +-18V LP 3,5V/us		1 080	19.10
		TL062CDR		2xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS INSTRUMENTS
		TL062CDR		2xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"