|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
|
12 000
|
1.30
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
-
|
32
|
19.20
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
HOTTECH
|
237 060
|
5.17
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
1
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
2 772
|
56.70
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
1 526
|
63.00
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
203
|
76.80
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
3 776
|
10.50
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
|
4 720
|
4.32
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
|
|
32.00
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
227.30
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
РОДОН
|
1 308
|
165.31
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ 349В |
|
|
|
15
|
10.08
|
|