IRFR1018E

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR1018E	2 000	42.84

Версия для печати

Технические характеристики IRFR1018E

Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2290pF @ 50V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	79A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 47A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	110W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.