| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
|
|
10.00
|
|
|
|
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
К50-24 63 В 470 МКФ |
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2
|
35.20
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
8 072
|
34.00
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-0,25 56К 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-0,5 2,2К 5% |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
