Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 1.7A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.4A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 210pF @ 25V |
Power - Max | 1.25W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Корпус | Micro8™ |
IRF7503 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805-4.99КF | FAITHFUL LINK | |||||||
0805-4.99КF | BOURNS | |||||||
1206-2.2КF | FAITHFUL LINK | |||||||
1ED020I12-F | INFINEON | 404 | 717.92 | |||||
1ED020I12-F | ||||||||
LL42 (0.2A 30V) | ||||||||
С2-29В-1-82.5 КОМ 0.5% |
|