IRF7503


Hexfet power mosfets dual n-channel

Купить IRF7503 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF7503
Версия для печати

Технические характеристики IRF7503

СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs135 mOhm @ 1.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.4A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds210pF @ 25V
Power - Max1.25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
КорпусMicro8™
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7503 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7503 datasheet
1008.7 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    0805-4.99КF     FAITHFUL LINK Заказ радиодеталей цена радиодетали
    0805-4.99КF     BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1206-2.2КF     FAITHFUL LINK Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1ED020I12-F     INFINEON 404 717.92 
    1ED020I12-F       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LL42 (0.2A 30V)       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    С2-29В-1-82.5 КОМ 0.5%       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход