MJD45H11-1G


Транзистор PNP, Тип монт. выводной, VCEO,В 80, Ic 8A, Ptot,Вт 1.75, ft,МГц

Купить MJD45H11-1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MJD45H11-1G
Версия для печати

Технические характеристики MJD45H11-1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 4A, 1V
Power - Max1.75W
Frequency - Transition90MHz
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход