|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
15.30
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
6 851
|
6.06
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
4 577
|
3.47
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
22 400
|
1.36
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
3 632
|
2.10
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 600
|
1.42
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
FR302 (3A 100V) |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
2 406
|
30.57
|
|
|
|
ЖЕЛЕЗО ХЛОРНОЕ 250 ГР |
|
|
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН8В |
|
Трехвыводной стабилизатор с фиксированным выходным напряжением 15В, 1.5А, 8Вт
|
|
2 766
|
28.16
|
|
|
|
КР142ЕН8В |
|
Трехвыводной стабилизатор с фиксированным выходным напряжением 15В, 1.5А, 8Вт
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
63.75
|
|
|
|
КР142ЕН8В |
|
Трехвыводной стабилизатор с фиксированным выходным напряжением 15В, 1.5А, 8Вт
|
МИКРОН
|
7 416
|
12.00
|
|
|
|
КР142ЕН8В |
|
Трехвыводной стабилизатор с фиксированным выходным напряжением 15В, 1.5А, 8Вт
|
БРЯНСК
|
9
|
16.00
|
|
|
|
КР142ЕН8В |
|
Трехвыводной стабилизатор с фиксированным выходным напряжением 15В, 1.5А, 8Вт
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН8В |
|
Трехвыводной стабилизатор с фиксированным выходным напряжением 15В, 1.5А, 8Вт
|
ВОРОНЕЖ
|
3
|
12.00
|
|
|
|
КР142ЕН8В |
|
Трехвыводной стабилизатор с фиксированным выходным напряжением 15В, 1.5А, 8Вт
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН8В |
|
Трехвыводной стабилизатор с фиксированным выходным напряжением 15В, 1.5А, 8Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН8В |
|
Трехвыводной стабилизатор с фиксированным выходным напряжением 15В, 1.5А, 8Вт
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
784
|
41.29
|
|