| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
|
24
|
1 120.00
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
456
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
|
2Т880А |
|
|
|
|
1 152.00
|
|
|
|
|
2Т880А |
|
|
КРЕМНИЙ
|
3
|
455.00
|
|
|
|
|
2Т880А |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
504НТ1А |
|
|
|
26
|
94.50
|
|
|
|
|
504НТ1А |
|
|
ТОНДИ
|
|
|
|
|
|
|
504НТ1А |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LT1373CS8 |
|
Импульсный регулятор 1,5A 30Vi
|
LINEAR TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
|
LT1373CS8 |
|
Импульсный регулятор 1,5A 30Vi
|
LTC
|
|
|
|
|
|
|
LT1373CS8 |
|
Импульсный регулятор 1,5A 30Vi
|
LINEAR TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
|
LT1373CS8 |
|
Импульсный регулятор 1,5A 30Vi
|
|
|
|
|
|
|
|
LT1373CS8 |
|
Импульсный регулятор 1,5A 30Vi
|
|
|
|
|
|
|
|
LT1373CS8 |
|
Импульсный регулятор 1,5A 30Vi
|
AD-LTC
|
|
|
|
|
|
|
OP262GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 15 МГц, Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40.+125°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
OP262GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 15 МГц, Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40.+125°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
OP262GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 15 МГц, Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40.+125°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
OP262GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 15 МГц, Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40.+125°C
|
|
|
588.00
|
|
|
|
|
OP262GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 15 МГц, Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40.+125°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
Версия для печати
