Версия для печати
Технические характеристики IRF7350

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	210 mOhm @ 2.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.1A, 1.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	28nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	380pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7350 (Дискретные сигналы) Power Mosfet Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF7350 datasheet 238.65Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		11DQ03		Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.	VISHAY
		11DQ03		Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.		228	9.25
		11DQ03		Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.	Vishay/Semiconductors
		11DQ03		Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.	EIC
		11DQ03		Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.	1
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	DC COMPONENTS	28 147	1.60
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA		16 360	1.06
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	FAIR
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	FAIRCHILD
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	GALAXY
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	FAIRCHILD	6 433
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	Fairchild Semiconductor
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	КИТАЙ
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	GALAXY ME	8 584	1.31
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	FSC
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	ONS-FAIR
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	JANGJIE
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	YANGJIE	48 000	1.32
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	HOTTECH	26 248	1.45
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	ONS
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	JSCJ	34 027	1.52  >100 шт.   0.76
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	YJ	18 888	1.96  >100 шт.   0.98
		564ЛП2				48	397.75
		564ЛП2			ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
		564ЛП2			МИКРОН
		564ЛП2			ВОСХОД
		564ЛП2			ЭКСИТОН
		564ЛП2			КАЛУГА
		564ЛП2			ПАВЛОВ ПАСАД
		564ЛП2			ПАВЛОВ ПОСАД
		564ЛП2			АЗОН
		564ЛП2			АНГСТРЕМ
		564ЛП2			ФОРМ МОСКВА
		564ЛП2			РОДОН
		IRF7343PBF		Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7343PBF		Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1 006
		IRF7343PBF		Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...	INFINEON
		IRF7343PBF		Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...		4
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	TEXAS INSTRUMENTS
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	ANALOG DEVICES
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C			311.56
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	ANALOG DEVICES
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	Analog Devices Inc

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"