RES 0603 15K 1%

Версия для печати

Технические характеристики RES 0603 15K 1%

Производитель	Yageo Corporation
Номинальное сопротивление	15 кОм
Допуск сопротивления	±1%
Номинальная мощность	0.1 Вт
Тип монтажа	SMD_0603
	RES_CR0603

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ON SEMICONDUCTOR
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	INFINEON
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	LRC
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	MOTOROLA
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц			2.44
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ONS
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	INFINEON
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	LRC
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	MOTOROLA	2 041
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ON SEMICONDUCTOR	1 733
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	OTHER	92
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	Infineon Technologies
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ONS-FAIR
PMV213SN	N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet	NXP
PMV213SN	N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet	PHILIPS
PMV213SN	N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet		4	30.72
PMV213SN	N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet	NXP	133
PMV213SN	N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet	NEXPERIA
RES 0603 75K 1%		YAGEO
SMF05CT1G		ON SEMICONDUCTOR
SMF05CT1G		ST MICROELECTRONICS
SMF05CT1G			9 484	14.82
SMF05CT1G		ONS
SMF05CT1G		ON SEMICONDUCTOR
SMF05CT1G		ONSEMICONDUCTOR
SMF05CT1G		ON SEMICONDUCTO
SMF05CT1G		ONSEMI
SMF05CT1G		TECH PUB	37 173	4.30
SMF05CT1G		TECH PUBLIC	24	6.62
ЧИП 0603 62К 5%		KOME
ЧИП 0603 62К 5%		YAGEO