IRFP450PBF
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=14A@T=25C, Id=8.7A@T=100C, Rds=0.4R, P=190W, -55 to +150C)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFP450PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт | RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт | 19 | 93.60 | ||
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER | 5 |
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт | SILICONIX | 20 |
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт | 1 |
|
|
|
| RX27-1 1 ОМ 5W 5% / SQP5 | 800 | 4.75 | ||||||
| RX27-1 1 ОМ 5W 5% / SQP5 | XIN HUA |
|
|
|||||
| SQP-5-22 ОМ-5% | 57 | 14.08 | ||||||
| ПЭ 20 51 ОМ 5% | 9 | 48.00 |
