MPSA06G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MPSA06G		12.00

Версия для печати

Технические характеристики MPSA06G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1302	Биполярный транзистор PNP Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 25MHz (Comp. 2SC3281)	TOSHIBA
2SA1302	Биполярный транзистор PNP Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 25MHz (Comp. 2SC3281)			212.84
2SA1302	Биполярный транзистор PNP Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 25MHz (Comp. 2SC3281)	TOS
2SA1302	Биполярный транзистор PNP Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 25MHz (Comp. 2SC3281)	ТАИЛАНД
2SA1302	Биполярный транзистор PNP Hi-Fi, 200V, 15A, 150W, 25MHz (Comp. 2SC3281)	ISCSEMI
MJ21193G				1 213.20
MJ21193G		ONS	40	772.32
MJ21193G		ON Semiconductor
MJ21193G		КИТАЙ
MJ21193G		ON SEMICONDUCTO
MJ21194G		ONS
MJ21194G		ON Semiconductor
MJ21194G				1 208.00
MJ21194G		КИТАЙ
MJ21194G		ON SEMICONDUCTO
MJ21196G		ON Semiconductor
MJ21196G		ONS
MJ21196G
MPSA56G		ON Semiconductor
MPSA56G		ONS
MPSA56G
MPSA56G		ON SEMICONDUCTOR	2 456
MPSA56G		ON SEMICONDUCTO
MPSA56G