Версия для печати
Технические характеристики IRG4BC20UD

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 6.5A
Current - Collector (Ic) (Max)	13A
Power - Max	60W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRG4BC20UD-S (Дискретные сигналы) Insulated Gate Bipolar Transistor Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRG4BC20UD datasheet 237.03Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	DC COMPONENTS	11 849	1.43
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NXP
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PHILIPS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	DIOTEC	8 109	1.51
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIRCHILD
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	GALAXY
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIRCHILD
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PHILIPS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	Fairchild Semiconductor
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	КИТАЙ
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MIC	4	1.19
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MCC
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NXP	5 698
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	VISHAY
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)		70 498	1.56  >100 шт.   0.78
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ONS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YJ	2 848	2.00  >100 шт.   1.00
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	GALAXY ME
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	KLS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	SUNTAN
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MIG	25 519	2.00  >100 шт.   1.00
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PANJIT
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ЛЕНТА/КАТУШКА
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	WUXI XUYANG	4 913	2.21
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	SEMTECH	41 723	1.92  >100 шт.   0.96
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YANGJIE
		2С107А				1 340	7.04
		2С107А			НЗПП	176	19.68
		2С107А			НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		2С107А			НОВОСИБИРСК	2 014	8.00
		2С107А			RUS
		КР142ЕН8Б		Мощный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением положительной ...		780	71.75
		КР142ЕН8Б		Мощный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением положительной ...	КРЕМНИЙ	825	82.66
		КР142ЕН8Б		Мощный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением положительной ...	МИКРОН
		КР142ЕН8Б		Мощный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением положительной ...	БРЯНСК	3 683	86.00
		КР142ЕН8Б		Мощный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением положительной ...	МИНСК
		КР142ЕН8Б		Мощный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением положительной ...	ВОРОНЕЖ
		КР142ЕН8Б		Мощный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением положительной ...	RUS
		КР142ЕН8Б		Мощный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением положительной ...	ИНТЕГРАЛ
		КР142ЕН8Б		Мощный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением положительной ...	КРЕМНИЙ ЭЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		520	12.25
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	532	16.83
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	2 844	16.00
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		МЛТ - 0.25 ВТ 1.2 КОМ 5%

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"