MBR10100G
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SWITCHMODE™ |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 100V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 |
| Корпус | TO-220 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SJ103 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 50V | NEC |
|
|
|
|
|
|
2SJ103 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 50V | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SJ103 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 50V | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SJ103 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 50V |
|
23.56 | ||
|
|
|
2SJ103 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 50V | NO TRADEMARK |
|
|
|
|
|
2SK246 |
|
Транзистор полевой | TOSHIBA |
|
|
||
|
|
2SK246 |
|
Транзистор полевой | TOS |
|
|
||
|
|
2SK246 |
|
Транзистор полевой |
|
19.92 | |||
 |
|
ECAP 4700/63V 2550 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 4700 мкФ, 63 В, 105С | JAMICON |
|
|
|
|
|
|
ECAP 4700/63V 2550 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 4700 мкФ, 63 В, 105С |
|
320.00 | ||
|
|
|
ECAP 4700/63V 2550 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 4700 мкФ, 63 В, 105С | JAM |
|
|
|
| RC1206FR-073K01L | YAGEO | 115 696 |
0.90 >500 шт. 0.30 |
|||||
| RC1206FR-073K01L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC1206FR-073K01L | 232 |
|
||||||
| RC1206FR-073K3L | YAGEO | 110 004 |
1.05 >500 шт. 0.35 |
|||||
| RC1206FR-073K3L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC1206FR-073K3L |
|
|
