RFD14N05LSM
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C), логический уровень переключателя.
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 14A, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Power - Max | 48W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252AA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
RFD14N05LSM (MOSFET) N-Channel Power MOSFETs
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BTS149 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
BTS149 |
|
532.92 | |||||
|
|
BTS149 | Infineon Technologies |
|
|
||||
|
|
BTS149 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
IRU1117-33CD |
|
LDO стабилизатор 3.3В 0.8А DPak | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRU1117-33CD |
|
LDO стабилизатор 3.3В 0.8А DPak |
|
63.80 | |||
|
|
IRU1117-33CD |
|
LDO стабилизатор 3.3В 0.8А DPak | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
 |
|
IRU1117-33CY |
|
СН ``low drop`` ( Vinmax=7V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0.8A) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRU1117-33CY |
|
СН ``low drop`` ( Vinmax=7V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0.8A) |
|
106.00 |
