| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
184
|
387.64
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
1
|
283.38
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
552
|
371.68
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
|
|
139.20
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
SH025M1000B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В, 20%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SH025M1000B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В, 20%
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH025M1000B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В, 20%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH025M1000B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В, 20%
|
|
|
|
|
|
|
|
SH035M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SH035M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH035M1000B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRONICS
|
157
|
66.30
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
|
5
|
122.40
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
1
|
|
|
|
Версия для печати
