BC857CDW1T1G
Биполярный транзистор универсальный p-n-p -45В, 100мА, 0.38Вт, 100МГц
|
Биполярный транзистор универсальный p-n-p |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 380mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/Jun/2009 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC847CDW1T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BC847CDW1T1G |
|
23.80 | ||||||
| BC847CDW1T1G | ONS |
|
|
|||||
| BC847CDW1T1G |
|
23.80 | ||||||
| BCV49E6327 |
|
PNP-Darl 60V 0,5A 1W | INFINEON |
|
|
|||
| BCV49E6327 |
|
PNP-Darl 60V 0,5A 1W |
|
|
||||
 |
BF1012 |
|
Транзистор биполярный малой мощности |
|
4.52 | |||
|
|
BF1012 |
|
Транзистор биполярный малой мощности | BELSIS |
|
|
||
 |
|
BF961 |
|
Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50 | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BF961 |
|
Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50 |
|
58.40 | ||
| BF999E6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BF999E6327 |
|
36.56 | ||||||
| BF999E6327 | INFINEON |
|
|
 | HLMP-CY27-VY0DD 5 Р СР С Р В±Р ВµР В»РЎвЂ№Р в„– светодиод Купить |
 | Si2315BDS P-channel, 1.8-v (g-s) mosfet Купить |
 | STGWS38IH130D Высокоскоростной igbt-транзистор на 1300 в, 33 а Купить |
