PBSS2515YPN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PBSS2515YPN (NXP.)	274	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PBSS2515YPN

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Transistor Type	NPN, PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	150 @ 100mA, 2V
Power - Max	300mW
Frequency - Transition	420MHz, 280MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PBSS2515YPN (Low VCE(sat) Bipolar Transistors)

15V Low Vcesat Npn / pnp Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PBSS2515YPN datasheet
91.79Kb
12стр.