|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2Д803АС9 |
|
|
|
1
|
21.00
|
|
|
|
2Д803АС9 |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
10 366
|
30.00
|
|
|
|
2Д803АС9 |
|
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
200
|
1.60
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
10 402
|
2.42
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
24 306
|
1.07
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
100 183
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
635 711
|
1.12
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
88 000
|
3.94
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 026
|
1.24
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
1 084 787
|
1.17
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
2 551
|
1.60
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
347 606
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEXPERIA
|
537 364
|
1.22
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.30
|
|
|
|
KPC-3216SGC |
|
SMD индикатор
|
|
|
8.04
|
|
|
|
KPC-3216SGC |
|
SMD индикатор
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
KPC-3216SGC |
|
SMD индикатор
|
KGB
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
9 238
|
25.58
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
|
5 037
|
5.30
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 010
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
DC COMPONENTS
|
5 094
|
8.51
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
|
9 120
|
3.53
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
DIOTEC
|
28 480
|
6.97
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
3
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
SK34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|