Версия для печати
Технические характеристики BC516

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 100µA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Transistor Type	PNP - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	200MHz
Power - Max	625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30000 @ 20mA, 2V

BC516 PNP Silicon Darlington Transistor Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BC516 datasheet 142.34Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ686Ж				4	20.16
		КТ686Ж			РИГА

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz		16	18.90
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	UTC	1 018	2.67
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOS
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CJ
		BYV29-500		Диод S-D 500В 7.4A SOD59	PHILIPS
		BYV29-500		Диод S-D 500В 7.4A SOD59
		BYV29-500		Диод S-D 500В 7.4A SOD59	NXP
		BYV29-500		Диод S-D 500В 7.4A SOD59	NXP
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	VISHAY
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ST MICROELECTRONICS
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	Vishay/Siliconix
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	STMicroelectronics
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICROSEMI CORP
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)			66.84
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MINOS	2 253	21.43
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)			144.00
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONS	364	145.20
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMIC
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONS-FAIR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	SPTECH	804	38.76
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	JSMICRO	976	34.58
		MMBFJ201					100.00
		MMBFJ201			FAIR
		MMBFJ201			ON SEMICONDUCTOR
		MMBFJ201			Fairchild Semiconductor
		MMBFJ201			FAIRCHILD
		MMBFJ201			FSC
		MMBFJ201			FAIRCHILD
		MMBFJ201			ONS	292	27.15
		MMBFJ201			ONS-FAIR
		MMBFJ201			ONSEMI	1	15.48

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"