|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CC1206KKX7R8BB334 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.33 мкФ, X7R, 10%, 1206, 25В
|
YAGEO
|
43 248
|
1.63
|
|
|
|
CC1206KKX7R8BB334 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.33 мкФ, X7R, 10%, 1206, 25В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R8BB334 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.33 мкФ, X7R, 10%, 1206, 25В
|
PHYCOMP
|
3 555
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R8BB334 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.33 мкФ, X7R, 10%, 1206, 25В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R8BB334 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.33 мкФ, X7R, 10%, 1206, 25В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R8BB334 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.33 мкФ, X7R, 10%, 1206, 25В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R8BB334 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.33 мкФ, X7R, 10%, 1206, 25В
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 324
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
39 217
|
7.87
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
|
9 963
|
9.98
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
532
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
TRR
|
648
|
3.94
|
|
|
|
LM1117IDT-3.3 |
|
СН ``low drop`` (, Vin,В =20V (max), Vout,В =3.3V, Iout =0.8A, Точ,% =1%
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117IDT-3.3 |
|
СН ``low drop`` (, Vin,В =20V (max), Vout,В =3.3V, Iout =0.8A, Точ,% =1%
|
|
|
69.96
|
|
|
|
LM1117IDT-3.3 |
|
СН ``low drop`` (, Vin,В =20V (max), Vout,В =3.3V, Iout =0.8A, Точ,% =1%
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117IDT-3.3 |
|
СН ``low drop`` (, Vin,В =20V (max), Vout,В =3.3V, Iout =0.8A, Точ,% =1%
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM1117IDT-3.3 |
|
СН ``low drop`` (, Vin,В =20V (max), Vout,В =3.3V, Iout =0.8A, Точ,% =1%
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117IDT-3.3 |
|
СН ``low drop`` (, Vin,В =20V (max), Vout,В =3.3V, Iout =0.8A, Точ,% =1%
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM431ACM3X |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM431ACM3X |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK
|
|
|
|
|
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK
|
ONS
|
|
|
|