GRM319R61A106KE19D

Версия для печати

Технические характеристики GRM319R61A106KE19D

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	10 В
Тип диэлектрика	X5R
Рабочая температура	-55...85 °C
	Tin Plated Layer
Размер	3.2x1.6x0.8
Номинальное напряжение	10 В
Температурный коэфициент	X5R
Емкость	10 мкФ
Серия	GRM
Корпус (размер)	1206
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
Рабочая температура	-55°C ~ 85°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Thickness	0.037" (0.95mm)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
C1206C154K3RACTU		Kemet
EP1C6Q240I7N	Микросхема CYCLONE FPGA 5980 LE PQFP240	ALTERA
EP1C6Q240I7N	Микросхема CYCLONE FPGA 5980 LE PQFP240	ALT
EP1C6Q240I7N	Микросхема CYCLONE FPGA 5980 LE PQFP240	ALTERA
EP1C6Q240I7N	Микросхема CYCLONE FPGA 5980 LE PQFP240
IRF7316	P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	86.70
IRF7316	P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)			72.00
IRF7316	P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)	ТАИЛАНД
IRF7316	P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)	INFINEON
IRF7316	P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)	TECH PUB	3 295	20.32
MAX962ESA		MAXIM
MAX962ESA			16	566.40
MAX962ESA		MAX
SN65HVD10D		Texas Instruments
SN65HVD10D
SN65HVD10D		TEXAS