![]() |
Производитель | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Температурный коэфициент | X7R |
Допуск емкости | ±20% |
Номинальное постоянное напряжение | 25 В |
Тип диэлектрика | X7R |
Номинальное напряжение | 25 В |
Рабочая температура | -55...125 °C |
Tin Plated Layer | |
Размер | 1.0x0.5x0.5 |
Емкость | 0.01 мкФ |
Серия | GRM |
Корпус (размер) | 0402 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Тип | Керамический |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSC110N06NS3G | INFINEON |
![]() |
![]() |
|||||
BSC110N06NS3G | INFINEON |
![]() |
![]() |
|||||
BSC110N06NS3G |
![]() |
![]() |
||||||
![]() |
GR443QR73D222KW01L |
![]() |
Murata Electronics North America |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
GR443QR73D222KW01L |
![]() |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
GR443QR73D222KW01L |
![]() |
MUR | 1 642 | 18.04 | |||
![]() |
GR443QR73D222KW01L |
![]() |
MURATA | 1 876 | 20.18 | |||
RC0603FR-073K09 | YAGEO |
![]() |
![]() |
|||||
SST25VF016B-50-4I-S2AF | 360 | 209.17 | ||||||
SST25VF016B-50-4I-S2AF | Microchip Technology |
![]() |
![]() |
|||||
SST25VF016B-50-4I-S2AF | MICRO CHIP | 1 440 | 242.85 | |||||
SST25VF016B-50-4I-S2AF | SILICON STORAGE TECHNOLOGY |
![]() |
![]() |
|||||
XC3S50A-4VQG100I | XILINX |
![]() |
![]() |
|||||
XC3S50A-4VQG100I | Xilinx Inc |
![]() |
![]() |
|||||
XC3S50A-4VQG100I |
![]() |
![]() |
||||||
XC3S50A-4VQG100I | XILINX |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|