GRM3165C1H120JZ01D

Версия для печати

Технические характеристики GRM3165C1H120JZ01D

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Температурный коэфициент	C0G
Допуск емкости	±5%
Номинальное постоянное напряжение	50 В
Тип диэлектрика	C0G
Номинальное напряжение	50 В
Рабочая температура	-55...125 °C
	Tin Plated Layer
Размер	3.2x1.6x0.6
Емкость	12 пФ
Серия	GRM
Корпус (размер)	1206
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
24LC256-I/SM	Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz	MICRO CHIP
24LC256-I/SM	Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz			126.28
24LC256-I/SM	Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz	MICRO CHIP	60
24LC256-I/SM	Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz	Microchip Technology
24LC256-I/SM	Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz	ТАИЛАНД
CY7C64713-128AXC		CYPRESS
CY7C64713-128AXC		CYPR
CY7C64713-128AXC		Cypress Semiconductor Corp
CY7C64713-128AXC		CYPRESS
CY7C64713-128AXC
LM1117IMPX-ADJ/NOPB		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM1117IMPX-ADJ/NOPB		NSC
LM1117IMPX-ADJ/NOPB		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM1117IMPX-ADJ/NOPB		TEXAS INSTRUMEN
LM1117IMPX-ADJ/NOPB		TEXAS INSTRUMENTS	2 280	127.92
LM1117IMPX-ADJ/NOPB		TEXAS
LM1117IMPX-ADJ/NOPB			1 480	31.54
LM1117IMPX-ADJ/NOPB		TEXASINSTRUMENTS
LM1117IMPX-ADJ/NOPB		HOTTECH
LM1117IMPX-ADJ/NOPB		NS	1 868	70.00
MAX811TEUS-T		MAXIM
MAX811TEUS-T		MAX
MAX811TEUS-T				136.00
MAX811TEUS-T		MAXIM
TAJC107M010R	Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В	AVX