|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1PS76SB10 |
|
Ограничительный диод шоттки
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1PS76SB10 |
|
Ограничительный диод шоттки
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1PS76SB10 |
|
Ограничительный диод шоттки
|
|
|
|
|
|
|
1PS76SB10 |
|
Ограничительный диод шоттки
|
NXP
|
1 160
|
|
|
|
|
1PS76SB10 |
|
Ограничительный диод шоттки
|
PHILIPS
|
8 571
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
DC COMPONENTS
|
8 562
|
2.12
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
C2D10120A |
|
|
CREE
|
|
|
|
|
|
C2D10120A |
|
|
|
|
|
|
|
|
C2D10120A |
|
|
CREE PWR
|
|
|
|
|
|
C2D10120A |
|
|
Cree Inc
|
|
|
|
|
|
MBR40250 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR40250 |
|
|
|
|
|
|
|
|
MBR40250 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR40250 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR40250 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
|
1
|
12.95
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
965
|
24.00
|
|