|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
PHILIPS
|
647
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
NXP
|
8 950
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
159
|
182.16
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-0756R |
|
Резистор SMD 1206 56 Ом 0.125/0.25Вт 5%
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-0756R |
|
Резистор SMD 1206 56 Ом 0.125/0.25Вт 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-0756R |
|
Резистор SMD 1206 56 Ом 0.125/0.25Вт 5%
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-0756R |
|
Резистор SMD 1206 56 Ом 0.125/0.25Вт 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|