LH400M0470BPF-3050

Электролитический алюминиевый конденсатор
Емкость 470мкФ
Наппряжение 400В
Точность 20%
Размер 3050

Версия для печати

Технические характеристики LH400M0470BPF-3050

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	400 В
Ток утечки	3000 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.15
Максимальный ток пульсаций	2.4 А
Шаг выводов	10 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 30x50
Рабочая температура	-40...85 °C
	For General
Емкость	470 мкФ
Серия	LH
Корпус (размер)	Snap In
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 400В, 20%

LH400M0470BPF-3050 datasheet
285kB

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
EK-R24/2		EKITS
EK-R24/2
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	FAIR
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	FAIRCHILD
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	FAIRCHILD
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	Fairchild Semiconductor
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	ONS-FAIR
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	ONS
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	TECH PUB
FDS6680A	Single n-channel, logic level, powertrench mosfet	4-7 НЕДЕЛЬ	484
SK035M0100BZF-0611	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В	YAGEO
SK035M0100BZF-0611	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SK035M0100BZF-0611	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
STF9NK90Z	N - канальный MOSFET тарнзистор 900В,8А , 40Вт	ST MICROELECTRONICS	1 567	129.16
STF9NK90Z	N - канальный MOSFET тарнзистор 900В,8А , 40Вт	STMicroelectronics
STF9NK90Z	N - канальный MOSFET тарнзистор 900В,8А , 40Вт		2	343.98
К78-2-0.033МКФ 315 (10%)