TKR222M1EJ26
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25 В
|
Версия для печати
| Производитель | JAMICON CORPORATION |
| Допуск емкости | ±20% |
| Номинальное напряжение | 25 В |
| Емкость | 2200 мкФ |
| Срок службы | 2000 Ч |
| Размер корпуса | ф 13x26 |
| Рабочая температура | -55...105 °C |
| Wide Temperature Range | |
| Серия | TK |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER | 370 | 110.51 | |
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | 987 | 114.70 | ||
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | 1 |
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | EVVO | 1 310 | 81.98 | |
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | JSMICRO | 1 440 | 116.60 |
