| Производитель | EPCOS (SIEMENS MATSUSHITA COMP.) |
| Допуск емкости | ±5% |
| Номинальное постоянное напряжение | 1 кВ |
| Номинальное переменное напряжение | 250 В |
| Диэлектрик | Polypropylene |
| Номинальное напряжение | 1 кВ |
| Размер | 18.0x5.0x10.5 |
| Шаг выводов | 15 |
| Рабочая температура | -55...100 °C |
| Metallized Polypropylene Film Capacitors (MKP |
| Емкость | 0.01 мкФ |
| Серия | B32652 |
| Корпус (размер) | PIN |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Пленочный |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - AC | 250V |
| Voltage - DC | 1000V (1kV) |
| Dielectric Material | Polypropylene, Metallized |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Tolerance | ±5% |
| Рабочая температура | -55°C ~ 110°C |
| Size / Dimension | 0.709" L x 0.197" W (18.00mm x 5.00mm) |
| Высота | 0.413" (10.50mm) |
| Termination | PC Pins |
| Lead Spacing | 0.591" (15.00mm) |
| Возможности | AC and Pulse |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
B013 МЕТАЛЛИЧ. |
|
|
GAINTA
|
|
|
|
|
|
|
B013 МЕТАЛЛИЧ. |
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
18 244
|
3.41
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
4 014
|
2.24
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
370
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
 |
|
HCPL4504-000E |
|
Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
HCPL4504-000E |
|
Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
|
HCPL4504-000E |
|
Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА
|
|
2
|
325.08
|
|
|
|
|
STTH5R06FP |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
STTH5R06FP |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STTH5R06FP |
|
|
STMicroelectronics
|
4
|
73.62
|
|
|
|
|
STTH5R06FP |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
304
|
|
|
|
|
|
STTH5R06FP |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
STTH5R06FP |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
VS-10ETF12-M3 |
|
|
VISHAY
|
1 896
|
141.32
|
|
|
|
|
VS-10ETF12-M3 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
