NCP1216D100R2G

Версия для печати

Технические характеристики NCP1216D100R2G

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2843	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 10A)	TOSHIBA	9	229.50
2SK2843	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 10A)		1	416.40
2SK2843	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 10A)	TOS
BC807-40/T1	Транзистор биполярный SMD			2.52
BC807-40/T1	Транзистор биполярный SMD	NXP
BC807-40/T1	Транзистор биполярный SMD	NEXPERIA
HER108 (1A 1000V)
STW10NK60Z	N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247	ST MICROELECTRONICS
STW10NK60Z	N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247	STMicroelectronics
STW10NK60Z	N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247	КИТАЙ
STW10NK60Z	N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247	ST MICROELECTRONICS SEMI
STW10NK60Z	N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247
STW12NK80Z	N-MOS 800V, 10.5A, 190W	ST MICROELECTRONICS
STW12NK80Z	N-MOS 800V, 10.5A, 190W	STMicroelectronics
STW12NK80Z	N-MOS 800V, 10.5A, 190W	КИТАЙ
STW12NK80Z	N-MOS 800V, 10.5A, 190W