|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IR1155STRPBF |
|
|
International Rectifier
|
|
|
|
|
|
IR1155STRPBF |
|
|
INFINEON
|
672
|
765.57
|
|
|
|
IR1155STRPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
IR1155STRPBF |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
202
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 214
|
8.31
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
|
1 120
|
9.90
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
19
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS
|
295
|
11.25
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
YOUTAI
|
16 568
|
4.72
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
UMW
|
16 000
|
4.13
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
LM2904DR |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
327
|
|
|
|
|
LM431ACM3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM431ACM3 |
|
|
|
|
71.20
|
|
|
|
LM431ACM3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM431ACM3 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM431ACM3 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM431ACM3 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
613
|
|
|
|
|
MC33025DWG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33025DWG |
|
|
ONS
|
333
|
372.95
|
|
|
|
MC33025DWG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33025DWG |
|
|
|
7
|
259.00
|
|
|
|
MC33025DWG |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
542
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
|
|
166.40
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
|
|
166.40
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|