AT91RM9200-QU-002
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | AT91SAM |
| Процессор | ARM9 |
| Размер ядра | 16/32-Bit |
| Скорость | 180MHz |
| Подключения | EBI/EMI, Ethernet, I²C, MMC, SPI, SSC, UART/USART, USB |
| Периферия | POR |
| Число вводов/выводов | 122 |
| Размер программируемой памяти | 128KB (128K x 8) |
| Тип программируемой памяти | ROM |
| Размер памяти | 48K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.65 V ~ 1.95 V |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 208-MQFP, 208-PQFP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1302ZN+T | MAX |
|
|
|||||
| DS1302ZN+T |
|
|
||||||
 |
 |
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В |
|
1 536.00 | ||
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | INTEGRATED SILICON SOLUTION |
|
|
|
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 |
|
|
||||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ONS | 25 265 | 3.27 | |||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 8 454 |
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| S1D13506F00A2 | EPSON |
|
|
|||||
| S1D13506F00A2 | EPSON |
|
|
|||||
| XC2C128-7VQG100I | XILINX | 39 | 1 575.00 | |||||
| XC2C128-7VQG100I | XILINX |
|
|
|||||
| XC2C128-7VQG100I | Xilinx Inc |
|
|
|||||
| XC2C128-7VQG100I |
|
|
