IRF5850TRPBF


Купить IRF5850TRPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF5850TRPBF
Версия для печати

Технические характеристики IRF5850TRPBF

Power - Max960mW
Input Capacitance (Ciss) @ Vds320pF @ 15V
Gate Charge (Qg) @ Vgs5.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs135 mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 P-Channel (Dual)
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)Micro6™(TSOP-6)
КорпусMicro6™(TSOP-6)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    BQ24072RGTT     TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BQ24072RGTT     TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BQ24072RGTT       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LMC7660IMX     NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LMC7660IMX     NSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LMC7660IMX     NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LMC7660IMX     TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LMC7660IMX     TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LMC7660IMX       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LMC7660IMX       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход