Версия для печати
Технические характеристики IRF7907TRPBF

Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.1A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	850pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD706AR		2 Операционный усилитель бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 ...	ANALOG DEVICES
		AD706AR		2 Операционный усилитель бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 ...		64	351.50
		AD706AR		2 Операционный усилитель бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 ...	Analog Devices Inc
		AD706AR		2 Операционный усилитель бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	330
		APT1608CGCK			Kingbright Corp
		APT1608CGCK
		APT1608CGCK			KGB	6 028	8.53
		APT1608CGCK			KB
		APT1608CGCK			KINGBRIGHT	6 954	11.54
		BLM41PG102SN1L		Дроссель подавления ЭМП 1806	MURATA	4 716	13.00
		BLM41PG102SN1L		Дроссель подавления ЭМП 1806		8	32.80
		BLM41PG102SN1L		Дроссель подавления ЭМП 1806	MUR	36 494	7.62
		BLM41PG102SN1L		Дроссель подавления ЭМП 1806	Murata Electronics North America
		KLS7-TS3608-5.0-180-T			KLS
		KLS7-TS3608-5.0-180-T
		LTST-C191KFKT			Lite-On Inc
		LTST-C191KFKT			LITE-ON	3 355	3.12
		LTST-C191KFKT			LIT	9 205	1.38
		LTST-C191KFKT

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"