IRF9953TRPBF


Купить IRF9953TRPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF9953TRPBF
Версия для печати

Технические характеристики IRF9953TRPBF

Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs250 mOhm @ 1A, 10V
FET FeatureStandard
FET Type2 P-Channel (Dual)
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds190pF @ 15V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход