MMDF2C03HDR2G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMDF2C03HDR2G (ON SEMICONDUCTOR.)	44	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MMDF2C03HDR2G

Gate Charge (Qg) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.1A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 3A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	N and P-Channel
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	630pF @ 24V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.