MMDF2P02ER2G


Купить MMDF2P02ER2G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MMDF2P02ER2G
Версия для печати

Технические характеристики MMDF2P02ER2G

Input Capacitance (Ciss) @ Vds475pF @ 16V
Gate Charge (Qg) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs250 mOhm @ 2A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 P-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход