Версия для печати
Технические характеристики NTHD4102PT1G
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 750pF @ 16V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.9A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Power - Max | 1.1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.