NTJD1155LT1G


Купить NTJD1155LT1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTJD1155LT1G
Версия для печати

Технические характеристики NTJD1155LT1G

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
FET FeatureStandard
FET TypeN and P-Channel
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Power - Max400mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSOT-363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход