SI4914BDY-T1-E3


Купить SI4914BDY-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI4914BDY-T1-E3
Версия для печати

Технические характеристики SI4914BDY-T1-E3

Gate Charge (Qg) @ Vgs10.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8.4A, 8A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 mOhm @ 8A, 10V
FET FeatureStandard
FET Type2 N-Channel (Dual)
СерияLITTLE FOOT®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Power - Max2.7W, 3.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход