SI4952DY-T1-GE3


Купить SI4952DY-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI4952DY-T1-GE3
Версия для печати

Технические характеристики SI4952DY-T1-GE3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 7A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds680pF @ 13V
Power - Max1.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход