SI6913DQ-T1-GE3


Купить SI6913DQ-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI6913DQ-T1-GE3
Версия для печати

Технические характеристики SI6913DQ-T1-GE3

Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 400µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 P-Channel (Dual)
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs28nC @ 4.5V
Power - Max830mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус8-TSSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход