Версия для печати
Технические характеристики SI7540DP-T1
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.6A, 5.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
