IRF7105Q

Версия для печати

Технические характеристики IRF7105Q

Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.5A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	N and P-Channel
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.