IRF7343Q


Купить IRF7343Q ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF7343Q
Версия для печати

Технические характеристики IRF7343Q

Gate Charge (Qg) @ Vgs36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.7A, 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 4.7A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN and P-Channel
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds740pF @ 25V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход