IRF7509

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7509 (EVVO)	2 400	14.46

Версия для печати

Технические характеристики IRF7509

Input Capacitance (Ciss) @ Vds	210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.7A, 2A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 1.7A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	N and P-Channel
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Power - Max	1.25W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Корпус	Micro8™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.