IRF7751G


Купить IRF7751G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF7751G
Версия для печати

Технические характеристики IRF7751G

Gate Charge (Qg) @ Vgs44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35 mOhm @ 4.5A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 P-Channel (Dual)
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1464pF @ 25V
Power - Max1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус8-TSSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход