Версия для печати
Технические характеристики IRF9952QPBF
| Производитель | International Rectifier Corporation |
| Схема сборки | 1N/1P |
| Максимальное рабочее напряжение | 30 В |
| Напряжение затвор-исток | 20 В |
| Тип 1-го транзистора | N |
| Ток стока (при Ткорп=25?С) | 3.5 А |
| Заряд затвора | 6.9 нК |
| Рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Тип 2-го транзистора | P |
| Ток стока (при Ткорп=25?С) | 2.3 А |
| Заряд затвора | 6.1 нК |
| Рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Корпус (размер) | SO-8 |
| HEXFET Power MOSFETs Dual N and P-Channel |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
