Версия для печати
Технические характеристики IRFH7911
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 13A, 28A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 12A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1060pF @ 15V |
| Power - Max | 2.4W, 3.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 18-PowerVQFN |
| Корпус | PQFN (5x6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
